金属有机气相沉积检测

参考周期：常规试验7-15工作日，加急试验5个工作日。

注意：因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外)。

检测项目

1.薄膜厚度：测量范围50nm-10μm，精度1.5%，采用非接触式光学干涉法
2.元素成分分析：检测III-V族元素（Ga,As,In）比例偏差≤0.5at%
3.结晶质量：XRD半高宽（FWHM）≤200arcsec
4.表面粗糙度：AFM测试Ra≤0.3nm（55μm扫描区域）
5.载流子浓度：霍尔效应测试范围1E15-1E19cm⁻
6.界面缺陷密度：CV法测定≤1E11cm⁻eV⁻

检测范围

1.III-V族化合物半导体：GaN、AlGaAs、InP外延层
2.LED外延片：蓝宝石衬底上的InGaN/GaN多层结构
3.太阳能电池薄膜：CIGS吸收层与缓冲层界面
4.光学涂层：ZnO/Al₂O₃抗反射膜堆叠体系
5.二维材料：MoS₂/WSe₂异质结的层间耦合分析

检测方法

1.ASTMF76-08(2016)：半导体薄膜电学特性测试标准
2.ISO14606:2015：深度剖析的溅射速率校准规范
3.GB/T32281-2015：半导体材料霍尔效应测试方法
4.ISO21283:2018：纳米薄膜厚度椭偏测量技术规范
5.GB/T35031-2018：金属有机气相沉积设备验收标准
6.ASTME112-13：晶粒尺寸测定标准试验方法

检测设备

1.X射线衍射仪（PANalyticalX'Pert3MRD）：用于晶体结构分析与应变测量
2.椭圆偏振仪（J.A.WoollamM-2000D）：实现0.1nm级薄膜厚度实时监测
3.原子力显微镜（BrukerDimensionIcon）：表面形貌三维重构与粗糙度量化
4.二次离子质谱仪（CAMECAIMS7f）：深度分辨率达1nm的成分剖面分析
5.霍尔效应测试系统（LakeShore8404）：磁场强度1T下载流子迁移率测定
6.光致发光谱仪（HoribaLabRAMHREvolution）：77K低温PL光谱缺陷表征
7.扫描电子显微镜（HitachiSU5000）：EDS面分布分析元素偏析现象
8.台阶仪（KLATencorP-7）：10分辨率验证膜层台阶高度
9.X射线光电子能谱（ThermoScientificK-Alpha+）：化学态分析结合深度刻蚀
10.四探针电阻率测试仪（LucasLabsS302-4）：薄层电阻测量精度0.5%

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

中析仪器 资质